SanDisk разрабатывает процессор с памятью HBM объемом 4 ТБ

SanDisk представил технологию High Bandwidth Flash (HBF) — альтернативу на основе NAND для HBM. HBF обеспечивает такую же пропускную способность, как и HBM, но при этом имеет в 8–16 раз большую емкость по сравнительно более низкой цене. SanDisk планирует создать технический консультативный совет из экспертов отрасли.

Отделение от Western Digital явно подстегнуло SanDisk к активным действиям. На недавнем дне инвесторов компания представила супербольшие твердотельные накопители (SSD) и обещала выпустить еще большие модели. Кроме того, была раскрыта новая технология под названием 3D Memory Matrix, которая является более дешевой альтернативой DRAM.

На том же мероприятии SanDisk представила свою концепцию High Bandwidth Flash (HBF), направленную на замену HBM с использованием флэш-памяти NAND для поддержки рабочих нагрузок, связанных с AI. Основной целью HBF является обеспечение такой же пропускной способности, как у HBM, при этом увеличивая емкость в 8–16 раз по аналогичной цене.

Согласно слайду, который SanDisk представил на мероприятии, HBF сочетает BiCS технологию с CBA Technology для эффективного стекирования высокой плотности. Компания разработала собственную технологию стекирования, которая якобы обеспечивает сверхнизкий изгиб кристалла, что позволяет достигать стекирования в 16 слоев без серьезных конструктивных проблем.

Архитектура HBF была разработана за последний год с учетом обратной связи от "ведущих игроков AI". Слайд содержит диаграмму стека HBF, состоящего из нескольких ядер HBF, соединенных через TSV (Through-Silicon Via) и микроподпятники, которые интерфейсируются с логическим чипом и PHY. Вся конструкция располагается на переносчике поверх подложки пакета, похожего на дизайн упаковки, используемый в HBM.

HBF не является прямой заменой для HBM, но имеет тот же электрический интерфейс и требует только небольших изменений протокола. На другом слайде сравнивается GPU с 192 ГБ памяти HBM со смешанной версией HBF и HBM, которая увеличивает общую емкость памяти до 3 ТБ. В полностью оптимизированном варианте с использованием только HBF (сверху страницы) можно достичь впечатляющей емкости 4 ТБ.

Дорожная карта HBF показывает, как компания видит развитие технологии на протяжении нескольких поколений. В первом поколении устанавливается базовая линия для таких метрик, как емкость, пропускную способность и энергоэффективность. Во втором поколении ожидается увеличение емкости на 1,5 раза, а также повышение пропускной способности чтения на 1,45 раза при небольшом снижении энергоэффективности до 0,8x. В третьем поколении (время его выхода неизвестно), HBF должна удвоить емкость и пропускную способность по сравнению с первым поколением, при этом энергоэффективность снизится до 0,6x.

Micron хочет получить больший кусок $100 млрд рынка HBM. Карта развития HBM Samsung показывает, что Google станет самым серьезным конкурентом Nvidia в AI. SanDisk тихо выставил на продажу SD-карту емкостью 2 ТБ — Extreme Pro такая же быстрая, как жесткий диск.