Сделал ли Пекинский университет самый быстрый в мире транзистор без использования кремния?

Пекинский университет заявил о создании самого быстрого и эффективого транзистора, подчеркивая, что в его основе не используется кремний. Об этом сообщает ZME Science.

Исследовательская группа Пекинского университета утверждает, что им удалось преодолеть ограничения производительности чипов и продемонстрировать возможность использования новых материалов для изменения стратегии в полупроводниковой гонке, полностью обходя кремниевые ограничения.

Руководитель исследовательской группы, профессор физической химии Пэн Хайлинь (Peng Hailin), заявил, что разработанный ими 2D-транзистор может работать на 40% быстрее, чем передовые 3-нанометровые кремниевые чипы Intel и TSMC, при этом потребляя на 10% меньше энергии. Профессор Пэн Хайлинь также отметил, что необходимость поиска альтернативных решений возникла из-за действующих санкций, однако это стимулирует исследователей находить новые подходы.

Как пишет Tom's Hardware, ключевая инновация Пекинского университета заключается в двухмерной структуре транзисторов, реализованной с использованием элемента, отличного от кремния.

В качестве полупроводникового материала используется Bi₂O₂Se (оксид селена висмута), который уже несколько лет изучается для применения в техпроцессах менее 1 нм. Это обусловлено его способностью быть 2D-полупроводником. Двухмерные полупроводники, такие как Bi₂O₂Se, более гибкие и прочные в малом масштабе, чем кремний, у которого уже на 10-нанометровому узле снижается подвижность носителей заряда. Такие прорывы в области многослойных 2D-транзисторов и переход от кремния к висмуту перспективы для будущего полупроводниковой отрасли и необходимы для обеспечения конкурентоспособности китайской промышленности на передовых позициях в области производства полупроводников.

ZME Science выражает определенный скепсис, отмечая, что для превращения лабораторных достижений в коммерческие чипы обычно требуются годы, а иногда и десятилетия.