Китай разработал флеш-память в 10 000 раз быстрее с пикосекундной скоростью 400 пс.

Исследовательская группа из Фуданского университета в Шанхае разработала самое быстрое полупроводниковое запоминающее устройство, о котором сообщалось на сегодняшний день. Это энергонезависимая флеш-память под названием "PoX", которая программирует один бит за 400 пикосекунд (0,0000000004 секунды) – примерно 25 миллиардов операций в секунду. Традиционные статические и динамические оперативные памяти (SRAM, DRAM) записывают данные за 1-10 наносекунд, но теряют все при отключении питания, в то время как современные флеш-чипы обычно требуют от микро- до миллисекунд на запись – слишком медленно для современных AI-ускорителей, которые перемещают терабайты параметров в режиме реального времени.

Группа Фуданского университета под руководством профессора Чжоу Пэна (Zhou Peng) из Государственной ключевой лаборатории интегрированных микросхем и систем переработала физику флеш-памяти, заменив кремниевые каналы на двухмерный дираковский графен и используя его баллистический перенос заряда. Сочетание сверхнизкого энергопотребления с пикосекундной скоростью записи может устранить необходимость в отдельных высокоскоростных SRAM-кэшах и снять давний барьер памяти в аппаратном обеспечении для AI-вывода и обучения, где перемещение данных, а не арифметические операции, теперь доминирует в энергобюджете. Команда, которая сейчас масштабирует архитектуру ячеек и занимается демонстрацией на уровне массивов, не раскрыла данные об устойчивости и выходе годных, но графеновый канал предполагает совместимость с существующими процессами обработки 2D-материалов, которые глобальные фабрики уже изучают. Результаты опубликованы в журнале Nature.